存储大厂宣布新规划：计划将FinFET制程导入NAND Flash产线
近日，三星电子宣布一项重大技术突破与未来愿景，就是计划将鳍式场效应晶体管（FinFET）制程技术应用于NAND Flash快闪存储器生产上。此动作被解读为三星为应对人工智能（AI）对更大容量NAND Flash快闪存储器的需求所做的准备。不过，这项技术属于未来
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FinFET， GAA， Backside Power 简介
FET（Fin Field-Effect Transistor），是一种先进的晶体管结构，用于半导体器件，特别是集成电路（IC），如微处理器、图形处理单元（GPU）和片上系统（SOC）。与平面场效应晶体管（FET）设计相比，FinFET结构具有许多优点。
finfet gaa backsidepower backs 2025-10-03 17:26 4
2nm，不可或缺
半导体是当今数字社会的基石，它不断发展，以提供更快的速度和更强大的处理能力。这些进步背后的关键驱动力是电路微型化——不断缩小晶体管尺寸，以便在单个芯片上容纳更多晶体管。如今，半导体行业正在迈入2纳米（2nm）时代，这是迄今为止最先进的技术。
AI芯天下丨趋势丨FlipFET技术，开启三维集成新时代
2025年，随着三星3nm、台积电2nm芯片相继落地GAAFET技术，曾被寄予厚望的“全环绕栅极”技术正式从“下一代趋势”转变为“当前主流”。